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產品介紹：
10G APD描述10G APD 雪崩光電二極管芯片采用InAlAs/InP材料，P/N電極異面結構，40um光敏面設計。該系列芯片具有高響應度，高靈敏度，低暗電流，高可靠性等特性，主要應用在傳輸網產品的光接收器。
面料：
類別：
型號：
10G APD
描述
10G APD 雪崩光電二極管芯片采用InAlAs/InP材料，P/N電極異面結構，40um光敏面設計。該系列芯片具有高響應度，高靈敏度，低暗電流，高可靠性等特性，主要應用在傳輸網產品的光接收器。
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