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產品介紹：
10G PD/Array描述10G PIN ＆ PIN Array PD 半導體光探測器芯片采用InGaAs/InP材料，GS電極共面結構，50um光敏面設計。該系列芯片具有高帶寬，低電容，高響應度和低暗電流，高可靠性等特性，主要應用在10G＆40G光數據通信場景下單模光纖 960nm 至 1650nm 波長范圍內的光接收器。
面料：
類別：
型號：
10G PD/Array
描述
10G PIN ＆ PIN Array PD 半導體光探測器芯片采用InGaAs/InP材料，GS電極共面結構，50um光敏面設計。該系列芯片具有高帶寬，低電容，高響應度和低暗電流，高可靠性等特性，主要應用在10G＆40G光數據通信場景下單模光纖 960nm 至 1650nm 波長范圍內的光接收器。
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