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產品介紹：
10G 1310nm FP Chip描述10G 1310nm FP 單模邊沿發射半導體激光器芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱結構設計，脊波導工藝。該系列芯片具有低閾值、高帶寬、寬溫工作等特點，主要應用于2km傳輸距離的4G無線前傳接入網絡。
面料：
類別：
型號：
10G 1310nm FP Chip
描述
10G 1310nm FP 單模邊沿發射半導體激光器芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱結構設計，脊波導工藝。該系列芯片具有低閾值、高帶寬、寬溫工作等特點，主要應用于2km傳輸距離的4G無線前傳接入網絡。
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