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產品介紹：
1310nm SOA描述SOA 半導體光放大器芯片采用InGaAsP/InP材料，多量子阱結構設計，掩埋異質結工藝，輸入/輸出端面上均鍍有抗反膜。該系列芯片具有高增益（光放大增益大于16dB）、高飽和輸出功率（典型值7dBm）、高ASE譜寬、低噪聲指數NF和低偏振相關特性，主要應用在光網絡中的前置放大和線路放大產品。
面料：
類別：
型號：
1310nm SOA
描述
SOA 半導體光放大器芯片采用InGaAsP/InP材料，多量子阱結構設計，掩埋異質結工藝，輸入/輸出端面上均鍍有抗反膜。該系列芯片具有高增益（光放大增益大于16dB）、高飽和輸出功率（典型值7dBm）、高ASE譜寬、低噪聲指數NF和低偏振相關特性，主要應用在光網絡中的前置放大和線路放大產品。
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