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產品介紹：
10G DWDM EML Chip 描述10G DWDM EML 單模邊沿發射半導體外調制激光器芯片采用InGaAsP/InP材料，多量子阱結構設計，掩埋異質結工藝。該系列芯片可提供1529.55nm～1560.61nm 共40個波長，具有低閾值、高帶寬、高可靠性等特點，主要應用于10Gb/s 40/80km距離的波分復用傳輸網產品。
面料：
類別：
型號：
10G DWDM EML Chip?
描述
10G DWDM EML 單模邊沿發射半導體外調制激光器芯片采用InGaAsP/InP材料，多量子阱結構設計，掩埋異質結工藝。該系列芯片可提供1529.55nm～1560.61nm 共40個波長，具有低閾值、高帶寬、高可靠性等特點，主要應用于10Gb/s 40/80km距離的波分復用傳輸網產品。
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