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產品介紹:
25G LWDM DFB Chip描述25G LWDM DFB 單模邊沿發射半導體激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱結構設計,脊波導及短腔工藝。該系列芯片可提供1269.23nm~1318.35nm 共12個波長,具有低閾值、高帶寬、寬溫工作等特點,主要應用于數據中心100G光模塊和5G無線前傳接入網絡。
面料:
類別:
型號:
25G LWDM DFB Chip

描述
25G LWDM DFB 單模邊沿發射半導體激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱結構設計,脊波導及短腔工藝。該系列芯片可提供1269.23nm~1318.35nm 共12個波長,具有低閾值、高帶寬、寬溫工作等特點,主要應用于數據中心100G光模塊和5G無線前傳接入網絡。
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